半导体易受温度影响，这主要源于其独特的物理特性随温度变化而波动。具体来说，存在以下几个关键因素：

首先，载流子浓度的变化。半导体的导电性很大程度上依赖于载流子（即电子和空穴）的数量。随着温度升高，原子振动加剧，使得更多电子从价带被激发至导带，进而提高载流子浓度，降低电阻率，增强导电性。

其次，禁带宽度会随温度发生细微变化。禁带宽度决定了电子从价带跃迁至导带所需的能量。随着温度上升，禁带宽度略有减小，这意味着在较低能量下，更多的电子便能完成跃迁，进一步增加载流子数量。

再者，迁移率也受温度影响。迁移率反映了载流子在电场作用下的平均漂移速度。通常，随着温度上升，载流子与晶格振动的散射作用增强，导致迁移率降低。然而，在特定情况下，温度上升初期可能因杂质电离和晶格振动加剧而提高载流子浓度，改善导电性；但随着温度进一步升高，迁移率的降低可能占据主导地位，导致电阻率增加。

zui后，热噪声也是一个不可忽视的因素。温度升高会加剧半导体中的热噪声，即电子因热运动而产生的随机运动，这可能导致信号失真、噪声增加，进而影响半导体器件的性能。

半导体的物理性质如载流子浓度、禁带宽度、迁移率以及热噪声等，均随温度变化而变化，这是半导体易受温度影响的主要原因。