一、高加速老化测试
        HAST，高加速老化测试

       也称压力测试/PCT测试，不饱和压力试验/USPCT。主要通过改变温度、湿度、压力等基础参数，即高温、高压、高湿，将水蒸气压力增加到一定程度，提高环境应力，加速产品老化，来评估电子元器件可靠性试验方法。

       通过HAST可靠性试验，帮助产品上市，缩短测试周期，评估PCB封装、绝缘电阻、芯片封装，与相关材料的耐湿性，来评估器件组件的可靠性能。

       二、 JESD22-A118A-2011加速防潮性 - 无偏HAST
       用来评估电子元器件在潮湿环境中的可靠性能，通过模拟严酷的温度、高湿度，提高水汽压力，使得包封料或密封料渗透分层，或沿着外部保护材料和金属导体介面的渗透，导致样品失效。

       该失效模拟方案与JESD22-A101-B中参数85℃、85%RH高温高湿稳态温度寿命试验效果相似，但该试验过程未施加偏压，使得失效机理不受偏压因素影响。另外，吸收的水汽会降低大部分高聚物材料的玻璃化转变速度，特别是温度高过玻璃化转变温度时，有可能导致非真实失效状况出现。

      芯片常用测试条件：110℃，85%RH，264小时。

      Table 1:Temperature,reative humidity and pressure(来源：网络资料)

      HAST加速防潮测试条件，与85°C高温、85％RH高湿测试条件而言，HAST更加容易产生水分湿气，从而导致产品或器件腐蚀、绝缘劣化，较为快速发现产品设计故障。
       针对电子元器件、PCB、芯片而言，HAST试验条件相当极端，加速因子在几十到几百倍之间，此类极端的加速模拟可靠性测试，确定产品或器件的极限工作条件，更容易提前发现产品失效模式。
       三、业内标准:参考清单
       BS EN60749-4-2002半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:湿热,稳态,高加速应力试验(HAST) 部分替代BSEN 60749:1999
       2BS EN60749-24-2004半导体器件.机械和气候试验方法.加速耐湿性.无偏差HAST
       3DIN EN60749-4-2003半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:湿热、稳态、高加速度作用(HAST)
       4DIN EN60749-24-2004半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分:强化抗湿 无偏高速应力试验HAST
       5GB/T4937.4-2012半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST)
       6IEC60749-4-2002半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:稳态湿热强加速应力试验(HAST)
       7IEC60749-4-2002/Cor 1-2003勘误表1:半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：稳态湿热强加速应力试验(HAST)
       8IEC60749-24-2004半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分:加速抗潮性 无偏强加速应力试验(HAST)
       9JEDEC JESD22-A118A-2011加快防潮性 - 无偏HAST